Sz Chenyi Istv N Egyetem Tender Result

A beszerzés tárgya 1db fókuszált gallium ionsugaras pásztázó elektronmikroszkóp 3D funkciókkal, kiegészítőkkel együtt Műszaki követelmények: Elektronforrás: - Schottky téremissziós katód - Gyorsítófeszültség minimum 0.02 kV-tól 30 kV-ig állítható legfeljebb 10 Voltos lépésekben - Nyalábáram: legalább 5 pA és 20 nA között szabályozható. - Automatikus emitter felfűtési vezérlés és túláram-védelem Elektronoptikai oszlop: - Fejlett, alacsony gyorsítófeszültségű képalkotásra optimalizált elektronoptika - Véglencse kialakítása: immerziós lencse nélkül, kizárólag mágneses és elektrosztatikus lencsék kombinálásán alapuljon - Az elektronoszlop objektívlencséje teljesen mágneses mező mentes legyen, így a ferromágneses minták mérése a mikroszkópban megoldott. - Rendelkezzen az elektronoptikai oszlopon belül, annak teljes hosszában legalább 8kV-os nyalábgyorsító és nyaláblassító funkcióval (beam-booster) - Manuális és auto-fókusz lehetőség. - Nagyítástartomány: min. 12x-2 000 000x (128x96mm referencia méret) - Munkatávolság 1-50mm között állítható a gyorsítófeszültség értékének megfelelően. - A nyalábáram stabilitása: az ingadozás 12h alatt kisebb, mint ±0.2% Felbontás: Az alábbi feltételeknek optimális munkatávolság és a mintára vagy asztalra kapcsolt ellenfeszültség (sample bias/ stage bias) nélkül kell teljesülnie.: 30kV gyorsítófeszültségnél STEM módban min. 0.7nm 15kV gyorsítófeszültségnél min. 0.9nm SE módban 1kV gyorsítófeszültségnél min. 1,7nm SE módban 0.2kV gyorsítófeszültségnél min. 2,5nm SE módban Fókuszált ionnyaláb (FIB): - Fókuszált folyékony gallium ion forrás. - gyorsítófeszültség 500 V és 30 kV között állítható - mintaáram min. 1 pA és 100 nA között állítható - Ionsugaras képalkotás esetén a képszélesség legalább 580x580 μm a koincidencia pontban (fókuszált ionnyaláb és elektronnyaláb metszéspontjában). - Lehetőség komplex alakzatok és sebesség (legalább 25 ns-tól 25 ms-ig / pixel) megadására ionsugaras megmunkálás esetén - Az ionnyaláb felbontása legalább 3 nm (vagy kisebb) legyen 30 kV gyorsítófeszültség esetén a koincidencia pontban. - Az ionnyaláb felbontása legalább 50 nm (vagy kisebb) legyen 5 kV gyorsítófeszültség és 10pA nyalábáram esetén a koincidencia pontban. - Az ionnyaláb felbontása legalább 150 nm (vagy kisebb) legyen 1 kV gyorsítófeszültség és 10pA nyalábáram esetén a koincidencia pontban. - Legyen lehetőség teljesen egyidejű pásztázó elektronmikroszkópos képalkotásra az ionsugaras vágás közben Kamra: - Legalább 18 csatlakozó porttal ellátott nagyméretű mintakamra - Infravörös CCD kamera a minta / mintakamra valós idejű megfigyeléséhez mérés közben - Belső átmérő min. 330mm - Légzsilip mintacseréhez, min. 100mm szélesség árgyasztal: - Teljesen motorizált legalább 6-tengelyes eucentrikus mintaasztal. - Minimum 100x100 mm-es mozgású (X-Y) mintaasztal, a Z-irányú mozgatás legalább 50 mm. - A tárgyasztal 360°-ban forgatható, - A tárgyasztal legalább -4°-tól +70°-ig dönthető. - A tárgyasztal legalább 0,5 kg-os minták mozgatására alkalmas. - Rendelkezik beépített mintaáram mérő és érintkezés figyelmeztető rendszerrel Vákuumrendszer: - Teljesen automatikus vezérlésű vákuum rendszer többféle vákuum móddal - Nagyvákuum mód minimum érje el a kamrában a 3x10-6 mbar-t - Alacsony vákuum mód in-situ töltéskompenzációval megvalósítva Mikroszkóp hűtés: Víz-levegő hűtés. Mintatartók: A műszer kapacitását optimálisan megvalósító mintatartók, amik lehetővé teszik az elektronmikroszkóp vágóegység funkcióinak kihasználását. Detektorok: - A mintakamrában elhelyezett Everhart-Thornley szekunderelektron (SE) detektor, - Visszahúzható nagyérzékenységű, legalább ötszegmenses szögérzékeny szilárdtest BSE (visszaszórt elektron) detektor, ahol a szegmensekről származó jelek tetszőlegesen keverhetők, - A BSE detektor rendelkezzen kiegészítő 3D képalkotási móddal. - Az elektronoszlopban/objektívlencsében elhelyezett szekunder elektron szcintillátor detektor, amivel SE jelek detektálhatók. Továbbiak AF és KD-ban.